Přehled

Jedním ze způsobů růstu monokrystalu SiC o vysoké kvalitě a výtěžnosti je sublimační růst. Při tomto procesu vzniká řada defektů, které následně negativně ovlivňují funkčnost součástek ze SiC substrátu. Pro co nejvyšší výtěžnost součástek je nutno četnost těchto defektů minimalizovat. Redukce množství defektů je možná optimalizací procesu růstu monokrystalu. Úkolem práce je provedení rešerše z oblasti sublimačního růstu 4H-SiC a příčin vzniku defektů, charakterizace defektivity v 4H-SiC monokrystalickém materiálu a stanovení hypotézy pro redukci defektivity a její ověření.

One of the methods to grow a single crystal of SiC with high quality and yield is sublimation growth. In this process, a number of defects are formed, which subsequently negatively affect the functionality of components from the SiC substrate. To maximize the yield of the components, the frequency of these defects must be minimized. Reducing the number of defects is possible by optimizing the crystal growth process. The task of this thesis is to carry out research in the field of sublimation growth of 4H-SiC and the causes of defect formation, characterization of defectivity in 4H-SiC single crystal material, and determination of hypothesis for defectivity reduction and its verification.

Název programu: Chemie, technologie a vlastnosti materiálů
Školitel: prof. RNDr. Vladimír Čech, Ph.D.

Termín podání přihlášek: 30. 4. 2024
Přihláška: https://www.fch.vut.cz/uchazeci/prijimacky/d
Případné informace o studiu podá: Sýkorová Alena sykorova@fch.vut.cz, +420 54114 9346